Title

InGaN量子结构中的载流子输运和复合

Speaker

Prof. Lai Wang

Tsinghua University

Time

3：00pm, July 24, 2026

Place

Material Science and Research Building B902

汪莱，清华大学电子工程系教授，宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室主任，国家杰出青年科学基金获得者。2003年和2008年在清华大学电子工程系分别获得学士和博士学位。长期从事宽禁带半导体材料与光电子器件研究，近年来的研究兴趣包括GaN基Micro-LED、蓝绿光激光器、感存算一体化芯片等。主持国家重点研发计划项目、自然科学基金项目。发表SCI论文200余篇，作国际会议邀请报告40余次。担任《Applied Physics Express》、《Journal of Information Display》、《半导体学报》等期刊编委。曾获国家科技进步二等奖、电子学会科技进步一等奖。

Abstract

基于InGaN/GaN量子结构的LED改变了照明的历史，是迄今为止人类所能制造的具有最高电光转换效率的半导体光电子器件，其载流子输运和复合问题的研究持续了近三十年。随着半导体照明技术的成熟，LED的研究逐渐向微小尺寸Micro-LED发展。当Micro-LED应用于不同场景时，其对应的工作电流密度区间不同，载流子输运和复合的机理也各有不同。本报告围绕InGaN量子结构中载流子输运与复合这一核心科学问题，针对Micro-LED在直接显示、AR微显示、芯片光互连等新兴场景下不同注入电流区间的性能瓶颈问题，系统梳理了已开展的相关研究；在此基础上进而提出了“量子阱中准连续能级”的物理模型，并通过自主搭建的时域-频域-温域多维导纳谱表征平台进行了初步验证。