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Prof. Anyuan Gao: 二维反铁磁拓扑绝缘体中的量子几何特性 (2025/04/10)

( 2025-04-02 )
Title

二维反铁磁拓扑绝缘体中的量子几何特性

Speaker


Assoc. Prof. Anyuan Gao

Shanghai Jiao Tong University

Time

10:00am, April 10, 2025

Place

Material Science and Research Building B902

Brief Bio of the Speaker

高安远,上海交通大学李政道研究所副教授。2019年毕业于南京大学,2020-2024年于哈佛大学从事博士后研究。2023年入选海外优青、上海海外高层次人才计划、浦江人才计划。2024年加入上海交通大学李政道研究所。主要研究方向包括新奇量子器件的设计和制作、使用输运和光学手段研究二维材料中的量子现象。目前已发表学术论文30余篇,引用3000余次,其中有第一/共一作者论文发表在Nature ScienceNat. Nanotech.Nat. Electron.Sci. Adv.Adv. Mater. 等期刊上。

Abstract

在量子世界中,量子几何定义了两个量子态之间的相位和幅值的差值。其中,量子态的相位差由我们熟知的Berry curvature所描述,而量子态的振幅差则由quantum metric所描述。通过对Berry curvature的研究,成功的解释了反常霍尔效应和拓扑量子现象等。那么quantum metric是否也可以产生有趣的量子现象呢?基于此问题,近几年quantum metric象也逐渐受到了科研界的关注。二维材料的出现,更是为我们探测和调控量子几何效应提供了新的途径。本次报告,我将以二维反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4为例,讲述2个二维层状材料中的量子几何效应引起的有趣量子现象。

1. Layer Hall effect:层分布的Berry curvature引起的反常霍尔效应;

2. Quantum metric nonlinear Hall effectQuantum metric引起的非线性霍尔效应。

参考文献:

[1] Anyuan Gao, et al. Nature, 595 521-525 (2021)

[2] Anyuan Gao, et al. Science 381, 181-186 (2023)

[3] Anyuan Gao, et al. Nat. Electron. 7, 751-759 (2024)




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